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ST推出業界首款采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET
發布時間:2013-08-13 閱讀量:962 來源:必威官方网站手机網 作者:
【導讀】半導體供應商意法半導體推出業界首款采用TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高壓脈衝環境中,650V額定電壓能夠為目標應用帶來更高的安全係數,有助於提高汽車電源和控製模塊的可靠性。

2013年8月13日,橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體(ti) 供應商意法半導體(ti) (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出業(ye) 界首款采用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高壓脈衝(chong) 環境中,650V額定電壓能夠為(wei) 目標應用帶來更高的安全係數,有助於(yu) 提高汽車電源和控製模塊的可靠性。這兩(liang) 款器件導通電阻 (RDS(ON)) 極低,分別為(wei) 0.032Ω 和0.049Ω,結合緊湊的TO-247封裝,可提高係統能效和功率密度。

ST推出業(ye) 界首款采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET

新產(chan) 品的市場領先的性能歸功於(yu) 意法半導體(ti) 的MDmesh V 超結(super-junction)技術。此項技術可生產(chan) 單位矽麵積導通電阻RDS(ON) 極低的高壓器件,使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷(Qg)和輸入電容也極低,因此,Qg x RDS(ON)品質因數 (FOM,figure of meric)極其出色,開關(guan) 性能和能效異常優(you) 異。此外,優(you) 異的抗雪崩(avalanche)性能可確保器件在持續高壓運行環境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半導體(ti) 專(zhuan) 有的垂直式工藝和經過市場檢驗的PowerMESH™水平式架構,導通電阻較同級別的MDmesh II器件降低大約50%。

意法半導體(ti) 的采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現已量產(chan) 。

關(guan) 於(yu) 意法半導體(ti)

意法半導體(ti) (STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體(ti) 解決(jue) 方案供應商,為(wei) 客戶提供傳(chuan) 感器、功率器件、汽車產(chan) 品和嵌入式處理器解決(jue) 方案。從(cong) 能源管理和節能技術,到數字信任和數據安全,從(cong) 醫療健身設備,到智能消費電子,從(cong) 家電、汽車,到辦公設備,從(cong) 工作到娛樂(le) ,意法半導體(ti) 的微電子器件無所不在,在豐(feng) 富人們(men) 的生活方麵發揮著積極、創新的作用。意法半導體(ti) 代表著科技引領智能生活(life.augmented)的理念。

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