MOS管規格書(shu) 中有三個(ge) 寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳(chuan) 輸電容Crss。該三個(ge) 電容參數具體(ti) 到管子的本體(ti) 中，分別代表什麽(me) ？是如何形成的？

功率半導體(ti) 的核心是PN結，從(cong) 二極管、三極管到場效應管，都是根據PN結特性所做的各種應用。場效應管分為(wei) 結型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。

根據不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為(wei) 增強型、耗盡型——

寄生電容形成的原因

1. 勢壘電容：功率半導體(ti) 中，當N型和P型半導體(ti) 結合後，由於(yu) 濃度差導致N型半導體(ti) 的電子會(hui) 有部分擴散到P型半導體(ti) 的空穴中，因此在結合麵處的兩(liang) 側(ce) 會(hui) 形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會(hui) 阻值擴散運動進行，最終使擴散運動達到平衡）；

2.擴散電容：當外加正向電壓時，靠近耗盡層交界麵的非平衡少子濃度高，遠離非平衡少子濃度低，且濃度自高到底逐漸衰減直到0。當外加正向電壓增大時，非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大，外加電壓減小時，變化相反。該現象中電荷積累和釋放的過程與(yu) 電容器充放電過程相同，稱為(wei) 擴散電容。

MOS管寄生電容結構如下，其中，多晶矽寬度、溝道與(yu) 溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。

對於(yu) MOS管規格書(shu) 中三個(ge) 電容參數的定義(yi) ，

輸入電容Ciss = Cgs + Cgd；

輸出電容Coss = Cds + Cgd；

反向傳(chuan) 輸電容Crss = Cgd

這三個(ge) 電容幾乎不受溫度變化的影響，因此，驅動電壓、開關(guan) 頻率會(hui) 比較明顯地影響MOS管的開關(guan) 特性，而溫度的影響卻比較小。

作者介紹：雕塑者（筆名），一名樂(le) 於(yu) 開源文化的工程師，個(ge) 人公眾(zhong) 號【硬件大熊】。後續原創技術應用筆記還將在必威官方网站手机網上線，敬請期待！

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