電源管理芯片的選擇因素是什麽(me) ？電源管理芯片是在電子設備係統中擔負起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責的芯片。主要負責識別CPU供電幅值，產(chan) 生相應的短矩波，推動後級電路進行功率輸出。

下麵先來了解幾個(ge) 概念問題：  

1、輸出電壓負載調整率：負載電流變化時輸出電壓相對變化情況

2、輸出電壓精度：器件輸出電壓的誤差範圍

3、負載瞬態響應：負載電流從(cong) 一個(ge) 小值到最大流快速變化時，輸出電壓的波動。

4、電源芯片選擇DC/DC還是LDO?  

這個(ge) 取決(jue) 於(yu) 你的應用場合。比如用在升壓場合，當然隻能用DC/DC，因為(wei) LDO是壓降型，不能升壓。

另外看下各自的主要特點：  

DC/DC：效率高，噪聲大;

LDO：噪聲低，靜態電流小;  

所以如果是用在壓降比較大的情況下，選擇DC/DC，因為(wei) 其效率高，而LDO會(hui) 因為(wei) 壓降大而自身損耗很大部分效率;  

如果壓降比較小，選擇LDO，因為(wei) 其噪聲低，電源幹淨，而且外圍電路簡單，成本低。  

LDO是lowdropoutregulator，意為(wei) 低壓差線性穩壓器，是相對於(yu) 傳(chuan) 統的線性穩壓器來說的。傳(chuan) 統的線性穩壓器，如78xx係列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉3.3v，輸入與(yu) 輸出的壓差隻有1.7v，顯然是不滿足條件的。針對這種情況，才有了LDO類的電源轉換芯片。  

LDO線性降壓芯片：原理相當於(yu) 一個(ge) 電阻分壓來實現降壓，能量損耗大，降下的電壓轉化成了熱量，降壓的壓差和負載電流越大，芯片發熱越明顯。這類芯片的封裝比較大，便於(yu) 散熱。  

LDO線性降壓芯片如：2596，L78係列等。  

DC/DC降壓芯片：在降壓過程中能量損耗比較小，芯片發熱不明顯。芯片封裝比較小，能實現PWM數字控製。  

DC/DC降壓芯片如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61，TPS61040/41  

LDO是lowdropoutregulator，意為(wei) 低壓差線性穩壓器，是相對於(yu) 傳(chuan) 統的線性穩壓器來說的。傳(chuan) 統的線性穩壓器，如78xx係列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上，否則就不能正常工作。  

但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉3.3v，輸入與(yu) 輸出的壓差隻有1.7v，顯然是不滿足條件的。針對這種情況，才有了LDO類的電源轉換芯片。生產(chan) LDO芯片的公司很多，常見的有ALPHA，Linear(LT)，Micrel，Nationalsemiconductor，TI等。  

什麽(me) 是LDO(低壓降)穩壓器?  

LDO是一種線性穩壓器。線性穩壓器使用在其線性區域內(nei) 運行的晶體(ti) 管或FET，從(cong) 應用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chan) 生經過調節的輸出電壓。所謂壓降電壓，是指穩壓器將輸出電壓維持在其額定值上下100mV之內(nei) 所需的輸入電壓與(yu) 輸出電壓差額的最小值。  

正輸出電壓的LDO(低壓降)穩壓器通常使用功率晶體(ti) 管(也稱為(wei) 傳(chuan) 遞設備)作為(wei) PNP。這種晶體(ti) 管允許飽和，所以穩壓器可以有一個(ge) 非常低的壓降電壓，通常為(wei) 200mV左右;與(yu) 之相比，使用NPN複合電源晶體(ti) 管的傳(chuan) 統線性穩壓器的壓降為(wei) 2V左右。負輸出LDO使用NPN作為(wei) 它的傳(chuan) 遞設備，其運行模式與(yu) 正輸出LDO的PNP設備類似。  

更新的發展使用CMOS功率晶體(ti) 管，它能夠提供最低的壓降電壓。使用CMOS，通過穩壓器的唯一電壓壓降是電源設備負載電流的ON電阻造成的。如果負載較小，這種方式產(chan) 生的壓降隻有幾十毫伏。  

DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換)，隻要符合這個(ge) 定義(yi) 都可以叫DCDC轉換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變(到)直流由開關(guan) 方式實現的器件叫DCDC。  

LDO是低壓降的意思，這有一段說明：低壓降(LDO)線性穩壓器的成本低，噪音低，靜態電流小，這些是它的突出優(you) 點。它需要的外接元件也很少，通常隻需要一兩(liang) 個(ge) 旁路電容。新的LDO線性穩壓器可達到以下指標：輸出噪聲30μV，PSRR為(wei) 60dB，靜態電流6μA，電壓降隻有100mV。 

LDO線性穩壓器的性能之所以能夠達到這個(ge) 水平，主要原因在於(yu) 其中的調整管是用P溝道MOSFET，而普通的線性穩壓器是使用PNP晶體(ti) 管。P溝道MOSFET是電壓驅動的，不需要電流，所以大大降低了器件本身消耗的電流;另一方麵，采用PNP晶體(ti) 管的電路中，為(wei) 了防止PNP晶體(ti) 管進入飽和狀態而降低輸出能力，輸入和輸出之間的電壓降不可以太低;而P溝道MOSFET上的電壓降大致等於(yu) 輸出電流與(yu) 導通電阻的乘積。由於(yu) MOSFET的導通電阻很小，因而它上麵的電壓降非常低。  

如果輸入電壓和輸出電壓很接近，最好是選用LDO穩壓器，可達到很高的效率。所以，在把鋰離子電池電壓轉換為(wei) 3V輸出電壓的應用中大多選用LDO穩壓器。雖說電池的能量最後有百分之十是沒有使用，LDO穩壓器仍然能夠保證電池的工作時間較長，同時噪音較低。  

如果輸入電壓和輸出電壓不是很接近，就要考慮用開關(guan) 型的DCDC了，因為(wei) 從(cong) 上麵的原理可以知道，LDO的輸入電流基本上是等於(yu) 輸出電流的，如果壓降太大，耗在LDO上能量太大，效率不高。  

DC-DC轉換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。DC-DC轉換器的優(you) 點是效率高、可以輸出大電流、靜態電流小。隨著集成度的提高，許多新型DC-DC轉換器僅(jin) 需要幾隻外接電感器和濾波電容器。但是，這類電源控製器的輸出脈動和開關(guan) 噪音較大、成本相對較高。  

近幾年來，隨著半導體(ti) 技術的發展，表麵貼裝的電感器、電容器、以及高集成度的電源控製芯片的成本不斷降低，體(ti) 積越來越小。由於(yu) 出現了導通電阻很小的MOSFET可以輸出很大功率，因而不需要外部的大功率FET。例如對於(yu) 3V的輸入電壓，利用芯片上的NFET可以得到5V/2A的輸出。其次，對於(yu) 中小功率的應用，可以使用成本低小型封裝。另外，如果開關(guan) 頻率提高到1MHz，還能夠降低成本、可以使用尺寸較小的電感器和電容器。有些新器件還增加許多新功能，如軟啟動、限流、PFM或者PWM方式選擇等。  

總的來說，升壓是一定要選DCDC的，降壓，是選擇DC-DC還是LDO，要在成本，效率，噪聲和性能上比較。  

LDO體(ti) 積小，幹擾較小，當輸入與(yu) 輸出電壓差較大的化，轉換效率低。  

DC-DC好處就是轉換效率高，可以大電流，但輸出幹擾較大，體(ti) 積也相對較大。  

LDO一般是指線性的穩壓器--LowDropOut，而DC/DC則是線性式和開關(guan) 式穩壓器的總稱。  

如果你的輸出電流不是很大(如3A以內(nei) )，而且輸入輸出壓差也不大(如3.3V轉2.5V等)就可以使用LDO的穩壓器(優(you) 點是輸出電壓的ripple很小)。否則最好用開關(guan) 式的穩壓器，如果是升壓，也隻能用開關(guan) 式穩壓器(如果ripple控製不好，容易影響係統工作)。  

LDO的選擇  

當所設計的電路對分路電源有以下要求：  

1、高的噪音和紋波抑製;

2、占用PCB板麵積小，如手機等手持電子產(chan) 品;

3、電路電源不允許使用電感器，如手機;

4、電源需要具有瞬時校準和輸出狀態自檢功能;

5、要求穩壓器低壓降，自身功耗低;

6、要求線路成本低和方案簡單;  

此時，選用LDO是最恰當的選擇，同時滿足產(chan) 品設計的各種要求。以上就是電源芯片的選擇方法，希望能給大家幫助，需要大家在設計的時候，根據項目的不同來選擇。

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