單片式開關(guan) 穩壓器具備額外的，少為(wei) 人知的EMI優(you) 勢，這種幹擾有多強，對電路有什麽(me) 影響，具體(ti) 取決(jue) 於(yu) 許多其他參數。但是，就EMC性能而言，單片式開關(guan) 穩壓器和帶控製器IC的解決(jue) 方案之間存在差異，這一點值得考慮。

開關(guan) 穩壓器可以采用單片結構，也可以通過控製器構建。在單片式開關(guan) 穩壓器中，各功率開關(guan) （一般是MOSFET）會(hui) 集成在單個(ge) 矽芯片中。使用控製器構建時，除了控製器IC，還必須單獨選擇半導體(ti) 和確定其位置。選擇MOSFET非常耗費時間，且需要對開關(guan) 的參數有一定了解。使用單片式設計時，設計人員無需處理這些問題。  

此外，相比高度集成的解決(jue) 方案，控製器解決(jue) 方案通常會(hui) 占用更多的電路板空間。所以，毫不意外多年來人們(men) 越來越多地采用單片式開關(guan) 穩壓器，如今，即使對於(yu) 更高功率，也有大量的解決(jue) 方案可供選擇。圖1左側(ce) 是單片式降壓轉換器，右側(ce) 是控製器解決(jue) 方案。   

圖 1. 單片式降壓轉換器（左）；帶外部開關(guan) 的控製器解決(jue) 方案（右）。  

雖然單片式解決(jue) 方案需要的空間較少，也簡化了設計流程，但另一方麵，控製器解決(jue) 方案的優(you) 勢是更加靈活。設計人員可以為(wei) 控製器解決(jue) 方案選擇經過優(you) 化、適合特定應用的開關(guan) 管，也可以控製開關(guan) 管的柵級，所以能夠通過更巧妙地部署無源組件來影響開關(guan) 邊沿。此外，控製器解決(jue) 方案適合高功率，因為(wei) 可以選擇大型分立式開關(guan) 管，且開關(guan) 損耗會(hui) 遠離控製器IC。  

但是，除了這些熟知的單片式解決(jue) 方案的有利和不利因素之外，還有一個(ge) 因素容易忽略。在開關(guan) 穩壓器中，所謂的熱回路是實現低輻射的決(jue) 定因素。在所有開關(guan) 穩壓器中，應盡量優(you) 化EMC。實現優(you) 化的基本原則之一是：最小化各個(ge) 熱回路中的寄生電感。在降壓轉換器中，輸入電容和高壓側(ce) 開關(guan) 之間的路徑，高壓側(ce) 開關(guan) 和低壓側(ce) 開關(guan) 之間的連接，以及低壓側(ce) 開關(guan) 和輸入電容之間的連接都是熱回路的一部分。它們(men) 都是電流路徑，其中的電流隨開關(guan) 切換的速度而變化。通過快速的電流變化，因寄生電感形成電壓偏移，可以作為(wei) 幹擾耦合到不同的電路部分。  

所以，這些熱回路中的寄生電感必須保持盡可能低。圖2用紅色標出各熱回路路徑，左側(ce) 為(wei) 單片式開關(guan) 穩壓器，右側(ce) 為(wei) 控製器解決(jue) 方案。我們(men) 可以看到，單片式解決(jue) 方案具有兩(liang) 大優(you) 勢。一，其熱回路比控製器解決(jue) 方案的熱回路小。二，高壓側(ce) 開關(guan) 和低壓側(ce) 開關(guan) 之間的連接路徑非常短，且隻在矽芯片上完成走線。兩(liang) 者相比，對於(yu) 帶控製器IC的解決(jue) 方案，連接的電流路徑必須通過封裝的寄生電感布線，通常采用的鍵合線和引線框架具有寄生電感。這會(hui) 導致更高的電壓偏置，以及更差的EMC性能。

圖 2. 單片式開關(guan) 穩壓器（左）和帶控製器IC的解決(jue) 方案（右），每個(ge) 都有一些不同形式的熱回路。  

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