一、認識米勒電容  

米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值後GS電壓有一段穩定值，過後GS電壓又開始上升直至完全導通。如圖，MOS管內(nei) 部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因為(wei) 寄生電容的存在，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。    

其中：  

輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，  

輸出電容Coss=Cgd+Cds，  

反向傳(chuan) 輸電容Crss=Cgd，也叫米勒電容。    

然而，這三個(ge) 等效電容是構成串並聯組合關(guan) 係，它們(men) 並不是獨立的，而是相互影響，其中一個(ge) 關(guan) 鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(ge) 電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時會(hui) 影響柵極和源極電容的充電。    

二、理解米勒效應  

米勒效應是指MOS管g、d的極間電容Crss在開關(guan) 動作期間引起的瞬態效應。    

可以看成是一個(ge) 電容的負反饋。在驅動前，Crss上是高電壓，當驅動波形上升到閾值電壓時，MOS管導通，d極電壓急劇下降，通過Crss拉低g腳驅動電壓，如果驅動功率不足，將在驅動波形的上升沿閾值電壓附近留下一個(ge) 階梯，如下圖。  

有時甚至會(hui) 有一個(ge) 下降尖峰趨勢平台，而這個(ge) 平台增加了MOS管的導通時間，造成了我們(men) 通常所說的導通損耗。    

三、MOS管的開通過程         

①t0—t1階段  

這個(ge) 過程中，驅動電流ig為(wei) Cgs充電，Vgs上升，Vds和Id保持不變。一直到t1時刻，Vgs上升到閾值開啟電壓Vg(th)。在t1時刻以前，MOS處於(yu) 截止區。      

②t1—t2階段  

t1時刻，MOS管就要開始導通了，也就標誌著Id要開始上升了。這個(ge) 時間段內(nei) 驅動電流仍然是為(wei) Cgs充電，Id逐漸上升，在上升的過程中Vds會(hui) 稍微有一些下降，這是因為(wei) 下降的di/dt在雜散電感上麵形成一些壓降。    

從(cong) t1時刻開始，MOS進入了飽和區。在飽和有轉移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導，隻要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以後，而此時又處於(yu) 飽和區，所以Vgs就會(hui) 維持不變。    

③t2—t3階段  

從(cong) t2時刻開始，進入米勒平台時期，米勒平台就是Vgs在一段時間幾乎維持不動的一個(ge) 平台。此時漏電流Id最大。且Vgs的驅動電流轉移給Cgd充電，Vgs出現了米勒平台，Vgs電壓維持不變，然後Vds就開始下降了。    

④t3~t4階段  

當米勒電容Cgd充滿電時，Vgs電壓繼續上升，直至MOS管完全導通。    

以上是MOS管開通的四個(ge) 過程。    

所以在米勒平台，是Cgd充電的過程，這時候Vgs變化很小，當Cgd和Cgs處在同等水平時，Vgs才開始繼續上升。  

四、米勒效應能避免嗎？  

由上麵的分析可以看出米勒平台是有害的，造成開啟延時，導致損耗嚴(yan) 重。但因為(wei) MOS管的製造工藝，一定會(hui) 產(chan) 生Cgd，也就是米勒電容一定會(hui) 存在，所以米勒效應不能避免。    

目前減小 MOS 管米勒效應的措施如下：    

1. 提高驅動電壓或者減小驅動電阻，目的是增大驅動電流，快速充電。但是可能因為(wei) 寄生電感帶來震蕩問題；     

2. ZVS 零電壓開關(guan) 技術是可以消除米勒效應的，即在 Vds 為(wei) 0 時開啟溝道，在大功率應用時較多。

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