MOS管因為(wei) 其導通內(nei) 阻低，開關(guan) 速度快，因此被廣泛應用在開關(guan) 電源上。而用好一個(ge) MOS管，其驅動電路的設計就很關(guan) 鍵。一般的電源開關(guan) 電路，控製電源的目的是省電，控製靜態電流。不過以下的電路存在著幾個(ge) 缺點：

1.管壓降較大

我們(men) 知道采用PNP管子作為(wei) 開關(guan) 管的飽和壓降在0～0.3V，這在低電路上是不可接受的。3.3V的控製電源最大誤差變成3V，某些1.5V的電源變成1.2V，這會(hui) 導致由此供電的芯片損壞。

PMOS的管子壓降為(wei) Vdrop=Id×Rdson，Rdson可選擇，實際的值在1歐以內(nei) 。

2.控製電流

我們(men) 知道Ib和Ic是相關(guan) 的，飽和放大係數一般的設計為(wei) 30，因此我們(men) 通過200mA的電流的時候，Ib=200/30=7mA，這樣導致了控製電路功耗較大。

3.開關(guan) 管功耗

我們(men) 知道三極管的功耗計算公式為(wei) Pd=Veb×Ib+Vec×Ic，Vec飽和時0～0.3V的條件下，當通過電流較大的時候，開關(guan) 管的功耗就很大。

比較而言，PMOS的導通電阻Rdson較小（也可選擇），P=Rdson×Id^2。

PMOS高壓電路設計（12V）電路

對比PNP電路設計

低壓開關(guan) （NMOS）【5V，3.3V，1.5V】

NMOS導通關(guan) 閉條件：

這裏使用PNP管直接使NM OS的G和Vin導通，這樣NMOS才可以完全導通，要是不能使Vin完全和NMOS的G完全接通，就使用最上麵的PMOS的方案，如果接成如下的情況： 

結果 

當Photo Control為(wei) 高定平，9014導通，640斷開。當Photo Control為(wei) 低電平，9014斷開，640導通，可此時640上ds間3~4V的壓降，本意DC=VBAT(8V)  ,現在DC隻有3點幾伏電壓；

原因：

NPN+PMOS才做電源控製，這是NPN+NMOS，R21直接換成0歐就通了，隻不過沒有控製什麽(me) 事了。

還有NMOS的襯底一般做出來的時候是和源極接在一起的，開機NMOS需控製電壓（相對襯底）大於(yu) 開啟電壓，這樣接襯底完全懸空了，現在的電路無論怎麽(me) 控製都達不到要求，電路本身設計就錯了，NMOS一般是做低輸出的，PMOS才是高輸出電路，這個(ge) 性質和三極管的NPN和PNP差不多的。TTL中用三極管，TTL能驅動MOS，MOS不能驅動TTL。

關(guan) 於(yu) 必威官方网站手机網

必威官方网站手机網是一個(ge) 電子方案開發供應鏈平台，提供從(cong) 找方案到研發采購的全鏈條服務。找方案，上必威官方网站手机網!在方案超市找到合適的方案就可以直接買(mai) ，沒有找到就到快包定製開發。必威官方网站手机網積累了一大批方案商和企業(ye) 開發資源，能提供標準的模塊和核心板以及定製開發服務，按要求交付PCBA、整機產(chan) 品、軟件或IoT係統。更多信息，敬請訪問https://www.interviewcrusher.com