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運放是集成在一個(ge) 芯片上的晶體(ti) 管放大器,偏置電流 bias current 就是第一級放大器輸入晶體(ti) 管的基極直流電流。理想中的運放因為(wei) 虛斷,是沒有電流流進或流出輸入端的,但現實中的運放會(hui) 有偏置電流流進或流出輸入端,運放的偏置電流是個(ge) 壞孩子,它是運放與(yu) 生俱來的特性(如下圖的Ib1和Ib2),它對運放電路會(hui) 產(chan) 生什麽(me) 影響呢?今天就來和大家一起分析下,下圖以同相放大電路為(wei) 例。
芯片手冊(ce) 中常見的偏置電流參數
上圖運放藍色部分我們(men) 將它看成一個(ge) 理想運放,紅色部分是現實中的運放,Ib1和Ib2分別是反相和同相端的偏置電流,參見下圖,同相端因沒有串聯電阻,故同相端的偏置電流Ib2對電路不會(hui) 產(chan) 生誤差。因理想運放輸入端是虛斷狀態,根據基爾霍夫電流定律,可得出 I1=I2+Ib1--式1,
根據虛短特性,可知A點電壓VA等於(yu) VIN,
I1=(VOUT-VIN)/R2
I2=VIN/R1 分別代入式1
可得出:VOUT=Ib1*R2+(1+R2/R1)VIN.--式2
我們(men) 都知道此同相放大電路的放大倍數為(wei) (1+R2/R1)VIN,根據這個(ge) 來觀察式2,發現考慮到偏置電流的情況下,輸出電壓VOUT會(hui) 產(chan) 生一個(ge) Ib1*R2的誤差,這個(ge) 誤差可以看成偏置電流Ib1流過反饋電阻R2產(chan) 生的壓降。
我們(men) 也可以換一種方式來分析以上現象,對於(yu) 以上偏置電流產(chan) 生的VOUT誤差,可以這樣來定量分析,當忽略運放的偏置電流時,即不考慮Ib1時,I1=I2. A點電壓VA=VIN,當不忽略運放的偏置電流時,I1=I2+Ib1,此時還是VA=VIN,即A點的電壓不變,說明流經R1的電流即I2不變,根據I1=I2+Ib1,可得出結論,不忽略偏置電流時,這個(ge) 多出來的Ib1是完全通過增加流過R2上的電流I1來達到的。即得出結論,由於(yu) Ib1的存在,使流經電阻R2上的電流I1增大了Ib1倍,導致輸出電壓VOUT,產(chan) 生了Ib1*R2的輸出誤差。
具體(ti) 本例中,VOUT會(hui) 產(chan) 生Ib1*R2大的輸出誤差,200nA*99K等於(yu) 將近20mV.可別小看了這區區20mV.在12位的ADC采集應用中,20mV的誤差,你想想ADC會(hui) 產(chan) 生多少階的誤差?
本例中,運放同相端沒有串聯電阻的目的,是為(wei) 了簡化計算過程,為(wei) 了能突出偏置電流的影響,如在同相端也串入合理大小的電阻的話,同樣會(hui) 使運放輸出VOUT向相反的方向產(chan) 生一個(ge) 誤差,元器件參數合理的話,正負兩(liang) 個(ge) 方向的誤差會(hui) 疊加消除,使運放偏置電流產(chan) 生的影響最小化。
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