自舉(ju) 電容，主要應用電容的特性-----電壓不能突變，總有一個(ge) 充電放電的過程而產(chan) 生電壓自舉(ju) 、電位自舉(ju) 作用的。自舉(ju) 電路也叫升壓電路，利用自舉(ju) 升壓二極管，自舉(ju) 升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從(cong) 而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。

自舉(ju) 是指通過開關(guan) 電源MOS管和電容組成的升壓電路，通過電源對電容充電致其電壓高於(yu) VCC。最簡單的自舉(ju) 電路由一個(ge) 電容構成，為(wei) 了防止升高後的電壓回灌到原始的輸入電壓，會(hui) 加一個(ge) Diode.自舉(ju) 的好處在於(yu) 利用電容兩(liang) 端電壓不能突變的特性來升高電壓。

舉(ju) 個(ge) 例子來說，如果MOS的Drink極電壓為(wei) 12V，Source極電壓原為(wei) 0V，Gate極驅動電壓也為(wei) 12V，那麽(me) 當MOS在導通瞬間，Soure極電壓會(hui) 升高為(wei) Drink減壓減去一個(ge) 很小的導通壓降，那麽(me) Vgs電壓會(hui) 接近於(yu) 0V，MOS在導通瞬間後又會(hui) 關(guan) 斷，再導通，再關(guan) 斷……。如此下去，長時間在MOS的Drink極與(yu) Source間通過的是一個(ge) N倍於(yu) 工作頻率的高頻脈衝(chong) ，這樣的脈衝(chong) 尖峰在MOS上會(hui) 產(chan) 生過大的電壓應力，很快MOS管會(hui) 被損壞。如果在MOS的Gate與(yu) Source間接入一個(ge) 小電容，在MOS未導通時給電容充電，在MOS導通，Source電壓升高後，自動將Gate極電壓升高，便可使MOS保持繼續導通。

對於(yu) MOSFET，導通的條件是柵-源極之間的電壓(Ugs)大於(yu) 某個(ge) 閾值，這個(ge) 閾值同的管其值不盡相同。下圖所示是一個(ge) NMOS的半橋，對於(yu) 低端的管子Q2，由於(yu) 其源極接地，所以當要求Q2導通時，隻要在Q2的柵極加個(ge) 一定的電壓即可；但是，對於(yu) 高端的管子Q1，由於(yu) 其源極的電壓Us是浮動的，則不好在其柵極上施加電壓以使Q1的Ugs滿足導通條件。試想，理想下，Q2的導通電阻為(wei) 0，即導通時，Q2的Uds為(wei) 0，則Us=Ud，則要求Q2的柵極電壓Ug大於(yu) Ud。簡單地說，要求升壓。 

高端管的驅動方法有幾個(ge) ，如用隔離變壓器等。自舉(ju) 型驅動IC具有簡單、實用的特點，目前被廣泛地使用。下麵簡要地描述自舉(ju) 的工作過程，目的是理清自舉(ju) 的工作原理，更合理地設計電路、布局布線和器件選型。

電路簡圖

首先，如下圖，是一款MOSFET驅動IC的電路圖，值得注意：出於(yu) 便於(yu) 分析的初衷，對電路進行了簡化。

如上圖，這電路並不陌生，二極管D1和電容C1分別被稱為(wei) 自舉(ju) 二極管和自舉(ju) 電容，有些IC把自舉(ju) 二極管集成到IC內(nei) 部。

把上圖的驅動作簡化，隻留下它的輸出級，得到下圖：注：此圖為(wei) 示意圖，隻用於(yu) 功能的描述。下圖的黃色框內(nei) 可以看作開關(guan) ，這樣便於(yu) 下麵分析理解。

充電過程

可以理解，半橋的兩(liang) 個(ge) 禁止同時導通。下圖是半橋低端管導通的示意圖。  

如上圖所示，半橋的高端管關(guan) 閉，而低端管開啟，這時泵二極管和泵電容組成充電回路。由上圖可以得到，+15V的電源經過泵二極管、泵電容、再經過半橋的低端管、再到地（電源負極），它們(men) 組成回路，對泵電容進行充電，使電容兩(liang) 邊的電壓為(wei) 15V，即Uc = 15V。

放電過程

這時再分析半橋低端管關(guan) 閉的情況，如下圖所示：

由於(yu) 半橋低端管關(guan) 閉，上文所述的回路被截斷，泵二極管處於(yu) 反向截止。由於(yu) 高端管開啟，

所以Ug = Uc + Us。

可得 Ugs = Ug - Us = Uc 。

由於(yu) 充電過程中，電容已被充電，所以Uc的電壓大概為(wei) 15V。

即Ugs = 15V 。這個(ge) 電壓可以開啟高端管的MOSFET。

至此，已完成一個(ge) PWM周期內(nei) ，自舉(ju) 電路的工作過程，可以理解為(wei) 泵電容的充放電過程。

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