一、MOS管柵源下拉電阻的作用

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體(ti) （semiconductor）場效應晶體(ti) 管，或者稱是金屬—絕緣體(ti) （insulator）—半導體(ti) 。MOS管的source和drain是可以對調的，他們(men) 都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(ge) 兩(liang) 個(ge) 區是一樣的，即使兩(liang) 端對調也不會(hui) 影響器件的性能。這樣的器件被認為(wei) 是對稱的。MOS是電壓驅動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部幹擾使MOS導通，外部幹擾信號對G-S結電容充電，這個(ge) 微小的電荷可以儲(chu) 存很長時間。  

在試驗中G懸空很危險，很多就因為(wei) 這樣爆管，G接個(ge) 下拉電阻對地，旁路幹擾信號就不會(hui) 直通了，一般可以10~20K。這個(ge) 電阻稱為(wei) 柵極電阻。

作用1：為(wei) 場效應管提供偏置電壓；

作用2：起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)；

第一個(ge) 作用好理解，這裏解釋一下第二個(ge) 作用的原理。保護柵極G~源極S，場效應管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣隻要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩(liang) 端產(chan) 生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩(liang) 端的高壓就有可能使場效應管產(chan) 生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極。這時柵極與(yu) 源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從(cong) 而起到了保護場效應管的作用。

二、MOS管被擊穿的原因及解決(jue) 方法

第一：MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。  

雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲(chu) 和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝，不要放在易產(chan) 生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調試時，工具、儀(yi) 表、工作台等均應良好接地。要防止操作人員的靜電幹擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設備必須良好接地。  

第二：MOS電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為(wei) 1mA，在可能出現過大瞬態輸入電流(超過10mA)時，應串接輸入保護電阻。因此應用時可選擇一個(ge) 內(nei) 部有保護電阻的MOS管應。還有，由於(yu) 保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件的輸入端，一般使用時，可斷電後利用電烙鐵的餘(yu) 熱進行焊接，並先焊其接地管腳。

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