2023年3月7日，致力於(yu) 亞(ya) 太地區市場的領先半導體(ti) 元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基於(yu) 安森美（onsemi）NXH010P120MNF1 SiC模塊和NCP51561隔離式雙通道柵極驅動器的5KW工業(ye) 電源方案。

圖示1-大聯大世平基於(yu) onsemi SiC模塊的5KW工業(ye) 電源方案的展示板圖

工業(ye) 用電在全社會(hui) 電力消耗中占有很大比重，因此在節能減排的大背景下，提升工業(ye) 電源的轉換效率、降低能源消耗是非常有必要的。而由於(yu) 工業(ye) 應用一般都具有較高的耗能需求，因此大都采用交流380V或交流480V的電源供電。在如此高壓的環境下，功率器件選擇有限，以往主要是以IGBT為(wei) 主。但持續的高頻、高溫和大電流等工作條件，會(hui) 使IGBT溫度升高，影響轉換效率。針對這個(ge) 問題，大聯大世平基於(yu) onsemi NXH010P120MNF1 SiC模塊和NCP51561隔離式雙通道柵極驅動器推出了5KW工業(ye) 電源方案可以有效提高電源轉換效率、降低能耗。

圖示2-大聯大世平基於(yu) onsemi SiC模塊的5KW工業(ye) 電源方案的場景應用圖

NXH010P120MNF1是一種SiC MOSFET功率器件整合模塊，其包含一個(ge) 半橋架構電路，該電路由兩(liang) 顆帶反向二極管的10mR、1200V SiC MOSFET組成，並內(nei) 置了一個(ge) 負溫係數（NTC）熱敏電阻有助於(yu) 溫度監測。在模塊中設有導熱界麵材料（Thermal Interface Material，TIM）或無TIM選項，可在更高電壓環境下改善R_DS(ON)，提高效率或提高功率密度。

NCP51561是隔離式雙通道柵極驅動器，具有4.5A峰值拉電流和9A峰值灌電流，其被設計用於(yu) 快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET電源開關(guan) 。NCP51561提供較短且匹配的傳(chuan) 播延遲，兩(liang) 個(ge) 獨立的5KVrms（UL1577等級）電隔離柵極驅動器通道可用於(yu) 任何配置中，如兩(liang) 個(ge) 低邊、兩(liang) 個(ge) 高邊開關(guan) 或具有可編程死區時間的半橋驅動器。並提供其他重要的保護功能，例如用於(yu) 柵極驅動器和使能功能的獨立欠壓鎖定。

圖示3-大聯大世平基於(yu) onsemi SiC模塊的5KW工業(ye) 電源方案的方塊圖

得益於(yu) onsemi SiC模塊和柵極驅動器的完美配合，本方案可提供出色的開關(guan) 性能和增強的散熱性能，並且能夠在實現更高能效和功率密度的同時，降低係統體(ti) 積和重量。

核心技術優(you) 勢：

Ÿ SiC MOSFET相對於(yu) IGBT技術優(you) 勢：

Ø 更低的開關(guan) 損耗：基於(yu) 材料特性具備較低反向恢複時間，可快速關(guan) 斷SiC MOSFET的導通電流，且由於(yu) 低柵極啟動電荷和低反向恢複時間，所以能快速開啟SiC MOSFET。

Ø 更低的傳(chuan) 導損耗：基於(yu) 低導通電壓可改善IGBT導通前的狀態，配合較低的內(nei) 阻溫度漂移係數可在較高的功率或溫度環境下工作，不會(hui) 因太大的內(nei) 阻變化而造成過多功率損耗。

Ÿ SiC MOSFET相對於(yu) MOSFET技術優(you) 勢：

Ø 10倍介電擊穿場強度；

Ø 2倍電子飽和/移動速度；

Ø 3倍能隙；

Ø 3倍熱傳(chuan) 導率。

方案規格：

Ÿ 適用交流480V以下電源係統；

Ÿ 高度整合的功率驅動模塊；

Ÿ 2個(ge) 半橋隔離式柵極驅動器Source 4.5A/Sink 9A，具有5KV絕緣；

Ÿ 半橋隔離柵極驅動器內(nei) 置欠壓保護功能；

Ÿ 半橋隔離柵極驅動器共模抗噪能力>200 V/ns；

Ÿ 半橋隔離柵極驅動器可設置死區時間；

Ÿ 模組單體(ti) 內(nei) 建過溫監測功能；

Ÿ 實際電氣驅動功能及規格需搭配外置的微處理器，配合所需功能的電路來決(jue) 定最終功能。