為(wei) 什麽(me) 說三星16nm MCU的關(guan) 鍵在於(yu) MRAM技術，一半是進入20nm以下領域，除了eMRAM暫無他法。另一半則在於(yu) ，三星在MRAM技術上的布局由來已久，而以eMRAM搶下MCU代工訂單的圖謀，也有跡可循。  

在2002年開啟MRAM研發工作後，三星在2005年又率先開始了STT-MRAM的研發，該技術後來被證明可以滿足高性能計算領域對最後一級緩存的性能要求，被認為(wei) 是MRAM突破利基市場的利器，已成為(wei) 包括台積電在內(nei) 的代工廠攻克MRAM的主要方向。  

在此之後，成本和工藝的限製，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調，在這期間，與(yu) FinFET技術齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法半導體(ti) 為(wei) 代表的歐洲半導體(ti) 科研機構和公司相繼迎來技術突破，快速發展，為(wei) MRAM的商業(ye) 化應用埋下了伏筆。  

2014年，三星與(yu) 意法半導體(ti) 簽訂28nm FD-SOI技術多資源製造全方位合作協議，授權三星在芯片量產(chan) 中利用意法半導體(ti) 的FD-SOI技術。也是在這一年，三星成功生產(chan) 了8Mb eMRAM，並利用28nmFDS，在2019年成功量產(chan) 首款商用eMRAM。  

據三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術製作的eMRAM模塊，隻要增加3個(ge) 掩模，就可以集成到芯片製造過程的後端。因此，該模塊被允許插入使用批量、FinFET或FD-SOI製造工藝生產(chan) 的芯片中，而不一定取決(jue) 於(yu) 所使用的前端製造技術。  

由此也可以看出，三星與(yu) 意法半導體(ti) 早已在eMRAM領域進行了深入的綁定，由此推測三星憑借eMRAM技術拿下意法半導體(ti) 16nm MCU外包訂單也順理成章。另外，從(cong) 三星近年來的對外發言中也可知，其對eMRAM應用至MCU早有計劃。  

2017年，三星與(yu) NXP達成代工合同，從(cong) 這一年起，NXP的IoT SoC i.MX係列將通過三星28nm FD-SOI工藝批量生產(chan) ，並計劃2018年將三星的eMRAM嵌入式存儲(chu) 器技術將用於(yu) 下一代SoC和MCU，NXP也由此成為(wei) 三星MCU代工的首個(ge) 客戶。  

2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同時即表示，MCU將是eMRAM的主要應用方向之一，未來將繼續擴大其嵌入式非易失性內(nei) 存產(chan) 品，其中包括1gb eMRAM測試芯片，並計劃使用其18FDS工藝製造eMRAM，以及更先進的基於(yu) FinFET的節點。  

三星宣布將改進其MRAM的MTJ功能，使其適合更多的應用。而在第五屆年度三星代工論壇上，三星進一步表示，其正在推進其14nm工藝，下一代eMRAM的目標是MCU、物聯網、可穿戴設備等應用。  

方案介紹

基於(yu) MCU的LED可控矽調光電源

方案簡介

LED驅動，可定製恒壓、恒流，MCU智能化檢測技術，可兼容市麵所有主流的調光器及係統，提供軟、硬件全套量產(chan) 資料。  

性能參數

行業(ye) 分類 : 智能家居  

開發平台 : Holtek 合泰  

交付形式 : 整機,軟件  

性能參數 : 10-200W  

應用場景 : 應用於(yu) 調光燈帶及LED筒燈

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基於(yu) 新唐MS51開發的電池管理係統（BMS）—單顆MCU（無AFE）方案

方案簡介  

1：基於(yu) MS51開發由分立器件組成的電池管理係統（BMS）方案，是電池與(yu) 用戶之間的紐帶，主要就是為(wei) 了提高電池的利用率，防止電池出現過度充電和過度放電。  

2：LED指示說明  

•藍燈長亮係統開機狀態  

•閃亮表示進入充電狀態  

•藍燈滅進入待機狀態，按按鍵或者外部電源插入時開機

性能參數

行業(ye) 分類 : 電源電池  

開發平台 : Nuvoton 新唐  

交付形式 : PCBA  

性能參數 : 運行速度 : 24 MHz,電池電壓測量 : 5至10節  

應用場景 : BMS 電池保護板

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