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MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(ti) (semiconductor)場效應晶體(ti) 管,或者稱是金屬—絕緣體(ti) (insulator)—半導體(ti) 。MOS管的source和drain是可以對調的,他們(men) 都是在P型backgate中形成的N型區。MOS在控製器電路中的工作狀態:開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關(guan) 斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。
MOS主要損耗也對應這幾個(ge) 狀態,開關(guan) 損耗(開通過程和關(guan) 斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(ge) 忽略不計),還有雪崩能量損耗。隻要把這些損耗控製在mos承受規格之內(nei) ,mos即會(hui) 正常工作,超出承受範圍,即發生損壞。而開關(guan) 損耗往往大於(yu) 導通狀態損耗,不同mos這個(ge) 差距可能很大。
什麽(me) 原因導致控製小功率無刷直流電機的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細電路圖及各元器件的型號(比如MOS管型號等)更好,由於(yu) 沒電路圖,下麵對這部分設計MOS管燒壞常見的可能性故障進行分析,自己核對一下是否有相應的問題。
一般幾種情況:
1.啟動電流過大,未做任何保護
2.上下橋臂直通,瞬間過電流
3.死區時間過短,反電動勢導致反向擊穿
4.硬件不確定故障,偶發現象
5.控製算法是否有誤
6.死區保護可能沒有做好,導致H橋的上下臂有直通的可能,可以用多通道示波器測量一下控製PWM信號,是否有上下臂同時導通可能。
1、電路圖中是否有續流二極管?因為(wei) 電機屬於(yu) 感性負載,其內(nei) 部具有線圈,當MOS管關(guan) 斷瞬間,很大的反向電動勢,與(yu) 原電源電壓疊加產(chan) 生高壓,從(cong) 而擊穿管子。
增加該二極管是使線圈與(yu) 二極管能夠形成回路,給反向電動勢續流,從(cong) 而保護MOS管等控製器件,如下圖D1為(wei) 電機續流二極管。
2、MOS管的選型是否合理?
①電機驅動瞬間電流比穩定運行時電流(額定電流)要大5~8倍左右,因此MOS管的最大漏極電流應選擇電機額定電流10倍以上,關(guan) 注公眾(zhong) 號“電路一點通” 比如額定功率為(wei) 0.5A的電機,MOS管最大漏極電流應選擇5A以上,盡量選擇內(nei) 阻小的MOS管,其內(nei) 阻越小越好。
內(nei) 阻小,壓降小,管子功耗小,其發熱量就小。②MOS管的最大工作電壓是否滿足要求?選取管子的工作電壓應比電機工作電壓大一倍,比如24V的電機,MOS管最大工作電壓應選擇48V以上。
3、MOS管的驅動電壓是否符合要求?雖然MOS管導通驅動電壓3V~10V左右,但是VGS電壓一般6V~10V管子才能達到飽和。
若隻用3.3V電壓驅動,雖然MOS管能夠導通,但是內(nei) 阻較大,並沒有達到飽和狀態。導致管子內(nei) 耗大,發熱量大而燒壞。如下圖為(wei) 小功率MOS管2N7002驅動電壓VGS與(yu) 漏極電流ID曲線圖,可以看出VGS>2V就開始有電流,管子導通,但是電壓高達5.5V左右管子才飽和。
4、MOS管控製端柵極串聯電阻是否過大?雖然MOS管屬於(yu) 電壓控製型器件,但是該電阻不能省,串聯該電阻起到隔離保護作用(如上圖R1)。
若該電阻太大,因為(wei) MOS管會(hui) 有結電容,管子太大充電速度慢,管子很長時間達不到飽和開通狀態,從(cong) 而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nei) 即可。
若為(wei) 正反轉控製電機驅動電路,如下圖4個(ge) 二極管不能省,這4個(ge) 二極管屬於(yu) 電機線圈續流二極管,用於(yu) 保護控製電路,若控製管使用的是MOS管,其內(nei) 部一般會(hui) 有寄生二極管,不需要外接。
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