MOS管是一種利用電場效應來控製其電流大小的半導體(ti) 三端器件，很多特性和應用方向都與(yu) 三極管類似。這種器件不僅(jin) 體(ti) 積小、質量輕、耗電省、壽命長、而且還具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強等優(you) 點，應用廣泛，特別是在大規模的集成電路中。

根據導電溝道的不同，MOS管可分為(wei) N溝道和P溝道兩(liang) 類，每一類又分為(wei) 增強型和耗盡型兩(liang) 種。現在以N溝道器件為(wei) 例來介紹一下MOS管的工作原理。

MOS管的基本工作原理是利用柵源電壓去控製漏極電流，但漏極和源極之間不存在原始導電溝道，所以工作時還需要先建立。

當VGS達到VT時，該區域聚集的自由電子濃度足夠大，而形成一個(ge) 新的N型區域，像一座橋梁把漏極和源極連接起來。該區域就稱為(wei) N型導電溝道，簡稱N溝道，而VT就稱為(wei) 開啟電壓，VGS>VT 是建立該導電溝道的必備條件。

當溝道建立之後，如果漏極之間存在一定的驅動電壓VDS，漏極電位高於(yu) 源極，造成氧化層上的電場分布不均勻，靠近源極強度大，靠近漏極強度弱，相應的導電溝道也就隨之變化：靠近源極處寬，靠近漏極處窄。

所以，MOS管的漏極電流Id主要受電壓VGS和VDS的影響，前者通過控製導電溝道來影響Id，後者直接作為(wei) 驅動來影響Id。總的來說，MOS管與(yu) 三極管特性極其相似，實際應用中常常都是把兩(liang) 者結合使用。