常見的PCB電路板故障主要還是集中在元器件上麵，像電容、電阻、電感、二極管、三極管、場效應管等，集成芯片跟晶振的明顯損壞，這些故障可以用眼睛直觀發現，而有些故障則需要借用工具，今天小編跟大家講解下如何用萬(wan) 用表排查電路板的故障：  

直觀可見的故障排查：  

1、看元件的狀態  

拿到一塊出故障的電路板，首先觀察電路板有沒有明顯的元件損壞，如電解電容燒毀和鼓脹、電阻燒壞以及功率器件的燒損等。  

2、看電路板的焊接  

如印製電路板有沒有變形翹曲；有沒有焊點脫落、明顯虛焊；電路板覆銅皮有沒有翹起、燒糊變黑。  

3、觀察元件的插件  

如集成電路、二極管、電路板電源變壓器等方向有沒插錯。  

萬(wan) 用表排查電路板故障：  

一、普通二極管的檢測  

用MF47型萬(wan) 用表測量，將紅、黑表筆分別接在二極管的兩(liang) 端，讀取讀數，再將表筆對調測量。根據兩(liang) 次測量結果判斷，通常小功率鍺二極管的正向電阻值為(wei) 300－500Ω，矽二極管約為(wei) 1kΩ或更大些。鍺管反相電阻為(wei) 幾十千歐，矽管反向電阻在500kΩ以上（大功率二極管的數值要小的多）。好的二極管正向電阻較低，反向電阻較大，正反向電阻差值越大越好。如果測得正、反向電阻很小均接近於(yu) 零，說明二極管內(nei) 部已短路；若正、反向電阻很大或趨於(yu) 無窮大，則說明管子內(nei) 部已斷路。在這兩(liang) 種情況下二極管就需報廢。  

在路測試：測試二極管PN結正反向電阻，比較容易判斷出二極管是擊穿短路還是斷路。  

二、三極管檢測  

將數字萬(wan) 用表撥到二極管檔，用表筆測PN結，如果正向導通，則顯示的數字即為(wei) PN結的正向壓降。  

先確定集電極和發射極；用表筆測出兩(liang) 個(ge) PN結的正向壓降，壓降大的是發射極e，壓降小的是集電極c。在測試兩(liang) 個(ge) 結時，紅表筆接的是公共極，則被測三極管為(wei) NPN型，且紅表筆所接為(wei) 基極b；如果黑表筆接的是公共極，則被測三極管是PNP型，且此極為(wei) 基極b。三極管損壞後PN結有擊穿短路和開路兩(liang) 種情況。  

在路測試：在路測試三極管，實際上是通過測試PN結的正、反向電阻，來達到判斷三極管是否損壞。支路電阻大於(yu) PN結正向電阻，正常時所測得正、反向電阻應有明顯區別，否則PN結損壞了。支路電阻小於(yu) PN結正向電阻時，應將支路斷開，否則就無法判斷三極管的好壞。  

三、MOS管好壞的經驗  

1：用黑表筆接在D極上 ，紅表筆接在S極上 ， 一般有一個(ge) 500-600的阻值  

2：在黑表筆不動的前提下，用紅表筆點一下G極，然後再用紅筆測S極，就會(hui) 出現導通  

3：紅表筆接D極，黑表筆點以下G極後再接S極 測得的阻值和1測的是一樣的 說明MOS管工作正常  

四、電解電容器的檢測  

用MF47型萬(wan) 用表測量時，應針對不同容量的電解電容器選用萬(wan) 用表合適的量程。根據經驗，一般情況下，47μF以下的電解電容器可用R×1K檔測量，大於(yu) 47μF的電解電容器可用R×100檔測量。  

將萬(wan) 用表紅表筆接電容器負極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬(wan) 用表指針即向右偏轉較大幅度，接著逐漸向左回轉，直到停在某一位置（返回無窮大位置）。此時的阻值便是電解電容器的正向漏電阻。此值越大，說明漏電流越小，電容器性能越好。然後，將紅、黑表筆對調，萬(wan) 用表指針將重複上述擺動現象。但此時所測阻值為(wei) 電解電容器的反相漏電阻，此值略小於(yu) 正向漏電阻。即反相漏電流比正向漏電流要大。實際使用經驗表明，電解電容器的漏電阻一般應在幾百千歐以上，否則將不能正常工作。  

在測試中，若正向、反相均無充電現象，即表針不動，則說明電容器容量消失或內(nei) 部短路；如果所測阻值很小或為(wei) 零，說明電容器漏電大或已擊穿損壞，不能再使用。  

在路測試：在路測試電解電容器隻宜檢查嚴(yan) 重漏電或擊穿的故障，輕微漏電或小容量電解電容器測試的準確性很差。在路測試還應考慮其它元器件對測試的影響，否則讀出的數值就不準確，會(hui) 影響正常判斷。電解電容器還可以用電容表來檢測兩(liang) 端之間的電容值，以判斷電解電容器的好壞。

方案介紹

基於(yu) 新唐ML51開發的電池管理係統（BMS）—超低功耗MCU+AFE方案

方案簡介  

1：基於(yu) ML51開發的電池管理係統（BMS）方案，是電池與(yu) 用戶之間的紐帶，主要就是為(wei) 了提高電池的利用率，防止電池出現過度充電和過度放電。  

2：係統特性  

•ML51是性能增強型 1T 8051微控製器，內(nei) 嵌Flash，運行速度可達24 MHz  

•5至14節高精度電池電壓測量功能  

•充放電電流測量功能  

•短路保護功能  

•內(nei) 置電池平衡開關(guan)  

•外部充放電FET控製               

•雙通道溫度檢測  

•過壓保護功能

性能參數

行業(ye) 分類 : 電源電池  

開發平台 : Nuvoton 新唐  

交付形式 : PCBA  

性能參數 : 運行速度 : 24 MHz  

應用場景 : BMS 電池保護板

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基於(yu) MCU差分升級FOTA方案

運行在各種設備的程序，由於(yu) 功能的迭代或自身bug的修複，難免需要升級功能，通常升級的程序都是以完整升級包（new app）的方式進行，存在包體(ti) 積大、耗時長的缺點；      

包文件分析顯示一般程序在版本迭代時A、B版本之間的差異部分在10%以內(nei) ； 顧名思義(yi) ，差分升級就是提取A、B版本之間的差異，減小包體(ti) 積、降低升級時間；

該差分算法庫與(yu) 平台無關(guan) ，可移植到各大常用芯片平台，移植非常簡單，並有文檔介紹操作。  

算法為(wei) 自研算法，目前已有產(chan) 品在市麵上運行。

性能參數

行業(ye) 分類 : 智能家居  

開發平台 : Atmel 愛特梅爾  

交付形式 : 軟件  

性能參數 : ，RAM : 1k，flash : 5k  

應用場景 : 低速無線，OTA，差分升級，低功耗無線升級

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