8月3日消息，據thelec報道，韓國芯片設計公司ASICLAND正在開發一種新的封裝技術，以降低台積電客戶的CoWoS（芯片層疊封裝）成本。

26日，在The ELEC於(yu) 首爾驛三浦項製鐵大廈舉(ju) 辦的“半導體(ti) 混合接合會(hui) 議”上，ASIC Land經理Kang Seong-mo以“台積電先進封裝和ASIC Land交鑰匙解決(jue) 方案”為(wei) 主題發表演講上個(ge) 月的。

康總監解釋道：“與(yu) 集成扇出（InFO）和有機基板封裝相比，基板上晶圓上芯片（CoWoS）可以提高性能和功耗。它還具有可自由調整中介層尺寸的優(you) 勢。 ”。“我們(men) 正在開發下一代封裝（可提高矽中介層成本），”他補充道。

Kang解釋說，CoWoS是代工公司台積電的一種先進封裝。這是應用矽中介層和穿矽電極（TSV）的工藝。內(nei) 插器連接邏輯芯片和高帶寬存儲(chu) 器 (HBM)。Nvidia A100、H100 和 Intel Gaudí 是 CoWoS 生產(chan) 的代表性半導體(ti) 。CoWoS主要分為(wei) CoWoS-S（Si中介層）、CoWoS-R（RDL中介層）和CoWoS-L（LSI+RDL中介層）。

CoWoS-S 是一種代表性的 CoWoS 封裝，其中邏輯芯片和高帶寬存儲(chu) 器 (HBM) 連接在 Si 中介層的頂部。CoWoS-R是應用RDL中介層和InFO的形式。通過應用RDL中介層，它的優(you) 點是比CoWoS更具價(jia) 格競爭(zheng) 力，但芯片之間無法互連。CoWoS-L是一種結合了CoWoS-S和InFO優(you) 點的封裝。通過RDL中介層降低了總體(ti) 成本，並安裝了本地矽中介層（LSI）來支持每個(ge) 片上係統（SoC）和HBM之間的互連。 

HBM、SoC等放置在RDL中介層上。芯片間互連利用矽橋。還安裝了散熱器以減少熱量的產(chan) 生。通過這一點，可以提高性能和功率。該軟件包的開發預計將對確保未來客戶產(chan) 生積極影響。

ASICLAND是韓國唯一為(wei) 台積電工作的設計公司，它於(yu) 2019年開始與(yu) 台積電合作。ASICLAND計劃在今年晚些時候在韓國交易所上市。