一鍵發布任務
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固體(ti) 中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價(jia) 電子所在能帶與(yu) 自由電子所在能帶之間的間隙稱為(wei) 禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上反映了被束縛的價(jia) 電子要成為(wei) 自由電子所必須額外獲得的能量。矽的禁帶寬度為(wei) 1.12電子伏特(eV)，而寬禁帶半導體(ti) 材料是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體(ti) 材料，典型的是碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、金剛石等材料。寬禁帶半導體(ti) 材料是被稱為(wei) 第三代半導體(ti) 材料。
